Комплексные компьютерные
решения
г. Винница. ул. Келецкая 61А
тел. +38(0432)550 950
+38(0432)554 408
моб. +38(063)863 78 03
сервис. +38(068)574 82 16

Micron почала виробництво пам’яті 3D NAND другого покоління

Micron Technology оголосила про те, що почала виробництво багатошарової пам’яті типу 3D NAND другого покоління в фабричному комплексі Fab 10X в Сінгапурі. Новий тип пам’яті дозволить Micron зміцнити позиції на ринку твердотільних накопичувачів, а також дещо знизити собівартість незалежної пам’яті. Крім іншого, випуск другого покоління 3D NAND призведе до збільшення ємності накопичувачів Micron, Crucial, а також їх партнерів.

Модулі памяті 3D NAND від Micron

В ході зустрічі та телеконференції з інвесторами і фінансовими аналітиками в цьому місяці Micron підтвердила, що почала масове виготовлення 3D NAND флеш-пам’яті з 64 шарами в виробничому комплексі Fab 10X в Сінгапурі в четвертому кварталі цього календарного року, що відповідає заявленим раніше термінам. Сам по собі анонс означає як введення в дію нової фабрики, так і прийдешнє істотне збільшення виробництва NAND флеш-пам’яті компанією Micron: як за рахунок збільшення кількості оброблюваних кремнієвих пластин з відповідними мікросхемами, так і за рахунок збільшення ємності останніх.

Анонс масового виробництва незалежної пам’яті з 64 активними шарами є знаменним, оскільки означає, що компанії вдалося вирішити ряд технічних проблем, які виникають при створенні 3D NAND з 60-70 шарами. Micron не єдина компанія, яка оголосила про масове виробництво мікросхем NAND флеш-пам’яті з 64 шарами. Samsung і Toshiba / Western Digital також розробили свої 64-шарові пристрої.

Модулі памяті 3D NAND від Micron

Треба сказати, що 64-шарове покоління 3D NAND флеш-пам’яті стане не тільки істотним випробуванням з точки зору виробництва, а й значною мірою відкриє нові горизонти. Справа в тому, що ємність таких мікросхем обіцяє бути дуже високою, причому плани Micron (і IMFT) тут найбільш амбітні (компанія має велику гнучкість в області збільшення ємності мікросхем завдяки розміщенню логічних ланцюгів мікросхем під самою пам’яттю, що економить площу ядра): кожна 3D TLC NAND-мікросхема другого покоління компанії матиме ємність 768 Гбіт (96 Гбайт).

Дворазове збільшення ємності 3D TLC NAND-мікросхем до 768 Гбіт може дозволити Micron використовувати такі чіпи в MLC-конфігурації ємністю 512 Гбіт (втім, сама Micron про це ніколи не говорила). Тим часом значне збільшення ємності має як плюси, так і мінуси. З одного боку, вони дають можливість створювати пристрої зберігання даних великої ємності в мініатюрних форм-факторах (наприклад, односторонній модуль M.2 ємністю 3 Тбайт).

Модулі памяті 3D NAND від Micron

З іншого боку, SSD невеликого обсягу матимуть вкрай низьку продуктивність через відсутність паралелізму при читанні і запису. У випадку з першим поколінням 3D NAND компанії Micron довелося відмовитися від накопичувачів місткістю 120/128 Гбайт саме через потенційно низьку продуктивність останніх. Може статися, що в наступному році компанії доведеться відмовитися від випуску вже накопичувачів класу 240/256 Гбайт.

На відміну від Micron, її конкуренти формально анонсували свої 64-шарові 3D NAND-мікросхеми. Так, Samsung оголосила про плани почати виробництво своїх 64-шарових V-NAND четвертого покоління в останньому кварталі 2016 року. Нові чіпи будуть мати трьохбітові комірки (TLC), ємність 512 Гбіт (по всій видимості, MLC будуть випускатися у вигляді окремих мікросхем або мати меншу ємність). Як тільки Samsung випробує V-NAND четвертого покоління на різного роду картах пам’яті і інших знімних накопичувачах, вона буде використана для виробництва SSD в 2017 році.

Модулі памяті 3D NAND від Micron

Що стосується Toshiba / Western Digital, то вони поставляють свою 64-шарову BiCS NAND третього покоління деяким своїм клієнтам вже кілька місяців. Більш того, перша продукція на базі даних мікросхем (знімні накопичувачі) повинна зійти з конвеєра вже в четвертому кварталі. Toshiba і Western Digital вельми обережно підходять до збільшення ємності своїх чіпів NAND, а тому з самого початку BiCS3 буде поставлятися в конфігурації TLC з ємністю 256 Гбіт, але в подальшому ємність буде збільшена до 512 Гбіт. Слід зазначити, що Western Digital вважає за можливе використовувати 64-шарову BiCS 3D NAND в твердотільних накопичувачах. Таким чином, в 2017 році світ, нарешті, побачить SSD на базі 3D NAND під торговими марками Toshiba і Western Digital.

Придбати у Вінниці накопичувачі SSD та HDD для своєї системи від різних виробників, в тому числі, Samsung та WD, можна у магазині комп’ютерної техніки Енрон, а також в інтернет-магазині Сконто.